外媒：Intel的10nm工藝領(lǐng)先三星/臺積電好多年

　　據(jù)外媒報道，英特爾（Intel）日前宣布將在2017年推出采用其最新的10納米芯片制程技術(shù)的全新處理器。此消息一出引起一片嘩然！更有分析人士指出：雖然許多廠商都推出了10納米技術(shù)，但其標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一，而英特爾在這一領(lǐng)域依舊領(lǐng)先它們許多年。

　　報道稱，英特爾同時指出，屆時采該制程生產(chǎn)的電晶體成本將比以往還低，代表摩爾定律精神不僅將延續(xù)，也駁斥電晶體制造成本已來到最低的說法。

　　展望來年，英特爾并計劃在電晶體設(shè)計上繼續(xù)精進，而且首度讓自家制程技術(shù)最大化以便符合其他公司需求，可利用英特爾設(shè)備生產(chǎn)采安謀（ARM）架構(gòu)的芯片。

　　英特爾院士Mark Bohr指出，雖然目前芯片制程世代或節(jié)點名稱說法與芯片上的功能多有脫勾，但該公司10納米世代所能達到的密度，將比目前14納米芯片甚至其他業(yè)者的10納米產(chǎn)品還要高。

　　該公司日前也公布多項新世代制程數(shù)據(jù)，包括負責(zé)開關(guān)的電晶體閘極長度以及閘極間距（gate pitch）都會更小，最小的閘極間距將由70納米變成54納米，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能的邏輯單元尺寸也會比目前采用14納米技術(shù)的小46%。

　　Bohr也指出，這已是較往年更為大膽的微縮程度，也一反日前新芯片制程世代出現(xiàn)時間變慢的發(fā)展趨勢。

　　英特爾指出，即使生產(chǎn)10納米晶圓的成本會比14納米高，但每顆電晶體生產(chǎn)成本會較低，而且在切換速度與功耗上都可獲得提升。因此，Bohr表示，在尺寸與效率上改善后，將可望讓服務(wù)器芯片增加更多核心以及在GPU增加執(zhí)行單元。

　　過去英特爾每2年都會推出新的制程世代來升級電晶體，但在14納米，該公司推出被稱為半節(jié)點（deminode）世代，也就是在10納米之前只針對14納米做出改善，而且在10納米后，預(yù)計在進展至下一個7納米世代之前，也先推出2個半節(jié)點10nm+與10nm++。

　　目前三星電子（Samsung Electronics）與臺積電也在生產(chǎn)10納米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量產(chǎn)，采用該芯片的裝置預(yù)計在2017年初上市，GlobalFoundries則傾向在2018年開始一舉進入7納米。

　　對此，分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的VLSI Research機構(gòu)執(zhí)行長Dan Hutcheson指出，目前各廠都在積極突破微縮的極限而且都取得進展，但彼此標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一，若以10納米產(chǎn)品比較，英特爾在特征尺寸上仍有多年領(lǐng)先優(yōu)勢。

　　除此之外，Hutcheson也指出，英特爾透過控制與一致化其自家制程而與其他廠商有所區(qū)隔，也幫助其在發(fā)展代工服務(wù)上具備優(yōu)勢。至于為其他公司代工芯片也是英特爾新作法之一，而且具備生產(chǎn)ARM處理器的能力后，對該公司來說更是重要。

　　此前英特爾也曾表明了相似的態(tài)度，據(jù)悉其首款10納米芯片將優(yōu)先在自家的處理器上采用，并將在2018年之后向其他的廠商開放。