熱搜：win11繞過(guò)硬件限制安裝 一鍵重裝Win10系統(tǒng) 最干凈的u盤啟動(dòng)盤 真正純凈版的win7系統(tǒng)
編輯：jiayuan 2017-09-19 11:08:07 來(lái)源于：IT之家
9月19日消息 此前有報(bào)道稱，Intel今天在北京召開了Intel尖端制造大會(huì)并首次公開展出了自家基于最新10nm工藝制程的晶圓！而據(jù)最新消息顯示，Intel還在大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)詳細(xì)介紹了自家的10nm工藝制程，并與友商臺(tái)積電和三星進(jìn)行了對(duì)比。
Intel高級(jí)院士，制程架構(gòu)總監(jiān)Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工藝制程與友商三星以及臺(tái)積電的對(duì)比�？梢钥吹絀ntel的10nm工藝制程在鰭片間距以及柵極間距均低于三星和天幾點(diǎn)，而最小金屬間距更是大幅領(lǐng)先于友商，從而在最終的邏輯晶體管密度參數(shù)上面，Intel的10nm工藝制程能夠達(dá)到每平方毫米1億晶體管，而臺(tái)積電為4800萬(wàn)，三星為5160萬(wàn)，也就是說(shuō)Intel的10nm工藝制程晶體管密度是臺(tái)積電的2倍還多。
此外，Intel方面還表示，盡管友商的工藝制程在今年進(jìn)入了10nm工藝制程，但是按照邏輯晶體管的實(shí)際面積計(jì)算的話，僅與Intel的14nm工藝制程相當(dāng)。也就是說(shuō)從邏輯晶體管來(lái)看，Intel實(shí)際領(lǐng)先友商達(dá)到了3年！那么，小伙伴們又如何看待此事呢？
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