編輯：xiaochun 2017-09-21 11:52:14 來源于：快科技
Intel在本周二的精尖制造日活動，談到了超微縮FinFET的10nm是如何先進，領先友商3年，不過就在昨天（周三），Digitimes從筆記本OEM廠商那里獲悉，Intel的Cannon Lake處理器將延期到2018年末。本周對于Intel的10nm先進工藝來說，可謂坐過山車般。
對此，網易報道稱，Intel中國區(qū)總裁楊旭接受采訪時強調，“Intel 10nm在今年第四季度就可以實現投產。”
他同時指出，“我們現在已經有技術驗證7nm到5nm都沒有問題。而且我們在通過前瞻研究推進5nm以后的，比如3nm、1nm，這些當然就需要很多別的新的技術，英特爾一直在探索。”
不過，資料顯示，從物理學的角度，5nm以及之后需要解決絕緣體的問題，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼（SiBCN），7nm使用的是氮碳氧化硅（SiOCN），但用于5nm的終極絕緣體氣隙（air gap）連IBM也沒搞定。
不過這還是只是一方面，III-V材料、EUV的光源功率等也都個個棘手。1nm都來了！看來pm（皮米）、fm（飛米）也快了。
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