2.9GB/s！JEDEC正式發(fā)布UFS v3.0標(biāo)準(zhǔn)

　　1月31日消息 據(jù)外媒報(bào)道，固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）日前正式發(fā)布了Universal Flash Storage （UFS&UFSHCI）v3.0標(biāo)準(zhǔn)（JESD220D、JESD223D）和UFS存儲卡v1.1標(biāo)準(zhǔn)（JESD220-2A）。那么，所謂的UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)和UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)有哪些不同呢？讓我們來了解一下吧。

　　據(jù)悉，UFS 3.0引入了HS-G4規(guī)范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。

　　由于UFS的最大優(yōu)勢就是雙通道雙向讀寫，所以接口帶寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

　　互聯(lián)層設(shè)計(jì)方面，嚴(yán)格遵守MIPI（移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）的規(guī)范協(xié)議，其中物理層依據(jù)MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據(jù)MIPI UniProSM v1.8。

　　其它方面，UFS 3.0支持的分區(qū)增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升，電壓2.5V，支持最新的NANG Flash閃存介質(zhì)。面向工業(yè)領(lǐng)域如汽車自動駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

　　至于UFSHCI v3.0規(guī)范則面向主控廠商參考，用于簡化通行設(shè)計(jì)。

　　至于UFS存儲卡v1.1，則實(shí)現(xiàn)了對HS-Gear1/2/3的全部兼容，這樣存儲速度就達(dá)到最高1.5GB/s。

　　值得一提的是，三星此前曾放出消息稱，其將在2018年第一季首發(fā)推出UFS 3.0接口的產(chǎn)品！從目前已知的情況來看，如果沒有意外，三星口中的“UFS 3.0接口產(chǎn)品”應(yīng)該就是其將于今年2月25日在MWC 2018大會上發(fā)布的新旗艦Galaxy S9了。