SSD固態(tài)硬盤怎么選擇？集性能、穩(wěn)定于一體的SSD有哪些主要固件？

　　SSD固態(tài)硬盤怎么選擇？了解SSD硬盤的用戶都知道，固態(tài)硬盤有三個基本組成：主控芯片、NAND閃存芯片、固件算法，而組成SSD的關鍵部件是PCB設計、主控、Nand閃存，判斷某SSD是否擁有足夠穩(wěn)定性和性能才是固態(tài)硬盤的選購要點。

SSD固態(tài)硬盤怎么選擇？

　　一、固態(tài)硬盤內部結構

　　SSD最基本的組成部件：主控芯片、NAND閃存芯片、固件算法。組成SSD的關鍵部件：PCB設計、主控、Nand閃存各家之間都幾乎一樣，對于相同方案的產品來說，決定性能和穩(wěn)定性差異的主要是固件不同。

　　1、主控：

　　在SSD中，主控看上去只是一顆躲在某個角落、并不起眼的小芯片，基本是基于ARM架構的處理核心。有句老話叫“秤砣小，壓千斤”，這用來形容主控芯片一點也不為過，除了存儲部分由閃存芯片負責之外，固態(tài)硬盤的功能、規(guī)格、工作方式等正是由這顆小小的芯片控制的。主控芯片在SSD中的作用就跟CPU一樣，主要是面向調度、協調和控制整個SSD系統(tǒng)而設計的。主控芯片一方面負責合理調配數據在各個閃存芯片上的負荷，另一方面承擔了整個數據中轉，連連接閃存芯片和外部SATA接口。除此之外，主控還負責ECC糾錯、耗損平衡、壞塊映射、讀寫緩存、垃圾回收以及加密等一系列的功能。

　　主控的技術含量不低，能玩得轉的沒幾家。目前主流的控制器有Marvell、SandForce、三星（自用）、Intel（自用）、JMicron、Indilinx（已被OCZ收購專用）、東芝等主控芯片。

　　Marvell各方面都很強勁，高端大氣上檔次。早期運用企業(yè)級產品，現也用在浦科特、閃迪、英睿達等品牌SSD上。Marvell自身也是一家大型公司，這兩年也沒什么變動，技術進步也很平穩(wěn)，也沒出過什么主控質量問題，未來的前景也值得看好。

　　SandForce的性能也不錯，它的特點是支持壓縮數據，比如一個10M的可壓縮數據可能被他壓成5M的寫入硬盤，但還是占用10M的空間，可以提高點速度，最大的特點是會延長SSD的壽命，但是主控CPU占用會高點而且速度會隨著硬盤的使用逐漸小幅度降低。代表型號為SF-2281，運用在包括Intel、金士頓、威剛等品牌的SSD上。相比Marvell公司，SandForce公司這兩年就有點折騰了。被LSI、Avago多次轉手之后，SandForce最終于2014年落入機械硬盤廠商希捷的手中。（至于希捷好基友西數也是通過收購拓展固態(tài)硬盤業(yè)務，舉債千億收購閃迪，砸鍋賣鐵為君來。收購將于2016年5月12日生效。）

　　Samsung主控一般只有自家的SSD上使用，性能上也是很強悍的，不會比Marvell差多少。目前三星主控已經發(fā)展到第五代MEX，主要運用在三星850EVO、850PRO上。

　　除了自有SSD主控的公司，在外包主控的市場中，Marvell與SF占據了90%的份額，留給其他廠商的空間并不多。2016年，來自臺灣主控廠商，智微Jmicron、慧榮Silicon Motion、群聯Phison三家公司的主控它們的成本低廉相當受SSD廠家歡迎。2012年附近幾年一直是山寨廠商的最愛，如今臺系主控已經不滿足于廉價低端市場了，開始在技術與性能上尋求進一步突破。（目前看起來，混的比較好的是慧榮）

　　2、NAND閃存：

　　如果說主控是衡量一款固態(tài)硬盤的技術反面，那么顆粒就代表著產品的用料誠意度。

　　SSD用戶的數據全部存儲于NAND閃存里，它是SSD的存儲媒介。SSD成本的80%就集中在NAND閃存上。NAND閃存不僅決定了SSD的使用壽命，而且對SSD的性能影響也非常大。

　　顆粒的傳統(tǒng)分類：SLC、MLC、TLC

　　簡單來說，NAND閃存中存儲的數據是以電荷的方式存儲在每個NAND存儲單元內的，SLC、MLC及TLC就是存儲的位數不同。單層存儲與多層存儲的區(qū)別在于每個NAND存儲單元一次所能存儲的“位元數”。

　　SLC（Single-Level Cell）單層式存儲每個存儲單元僅能儲存1bit數據，同樣，MLC（Multi-Level Cell）可儲存2bit數據，TLC（Trinary-Level）可儲存3bit數據。一個存儲單元上，一次存儲的位數越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節(jié)約閃存的成本，提高NAND的生產量。但隨之而來的是，向每個單元存儲單元中加入更多的數據會使得狀態(tài)難以辨別，并且可靠性、耐用性和性能都會降低。

　　SLC的固態(tài)硬盤目前市面上沒有，一是太貴，二是MLC足夠了。

　　中高端SSD還是MLC的天下。但是MLC也有很大區(qū)別。最好的是Enterprise Synch MLC（企業(yè)級同步MLC），可靠性和壽命針對企業(yè)級市場做了優(yōu)化。之后就是Synch/Toggle MLC（同步顆粒），其中Toggle MLC多為東芝出品，當然Toggle陣營中也有企業(yè)級閃存，與企業(yè)級同步MLC對應。SSD中應用比較多的其實還有Asynch MLC（異步顆粒），價格便宜量又足，不過性能比同步顆粒差。

　　由于TLC需要更精確的控制電壓，那么寫入數據當然也會花費更多的時間；同樣的，由于需要識別8種信號，而MLC只需要識別4種，所以TLC會花更多時間來讀取數據。但是和SLC比起來，MLC就被完爆了，因為SLC的電壓組合只有1和0兩種，與MLC的4種電壓組合比起來，SLC會花費更少的時間來識別信號，同時對電壓控制的要求變低：上電就是1，斷電就是0，這也就解釋了SLC的性能為何最好。

　　TLC閃存優(yōu)點是成本低，但是帶來的考驗也更大。容納的電位多了可以提升容量，但也使得整個過程更復雜，需要更精確的電壓控制，Program過程所需時間更多，因此寫入性能也會大幅下降，所以現在的TLC SSD都啟用了SLC Cache模式提升寫入速度，否則那個寫入速度是很難讓人接受的；讀取，特別是隨機讀取性能也會受影響，因為需要花更多的時間從八種電信號狀態(tài)中區(qū)分所需數據。另外TLC相鄰的存儲單元也會產生電荷干擾，20nm工藝之后，Cell單元之間的干擾現象更加嚴重，如果數據長時間不刷新的話就會出現像之前三星840 Evo那樣的讀取舊文件會掉速的現象。

　　最關鍵的是閃存壽命直線下降，MLC的P/E次數至少還有3000-5000次，而TLC公認的P/E指標是1000次，好點的可能做到1500次，依然比MLC差很多。但各種極限測試也都證明：正常家用，TLC 120g 固態(tài)的來說用個10年左右也是不成問題，所以不必糾結壽命。更別提很多壽命更長MLC的SSD。

　　目前全球生產NAND閃存芯片的廠商屈指可數：1三星、2東芝、3閃迪、4鎂光（英睿達）、5海力士、6英特爾。其中三星市場占有率第一，東芝顆粒應用最廣泛。另外還有英特爾、美光、三星、閃迪多用在自家產品。海力士的量則主要是供給移動市場為主。（不過在DRAM內存市場上，主要的玩家就剩下三星、SK Hynix及美光三家了）

　　3D NAND閃存：未來的出路

　　NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致于達到某個點之后制程工藝已經無法帶來優(yōu)勢了。

　　相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。

　　由于已經向垂直方向擴展NAND密度，那就沒有繼續(xù)縮小晶體管的壓力了，所以三星、Intel和美光可以使用相對更舊的工藝來生產3D NAND閃存，做成3D NAND MLC或者3D NAND TLC�，F在三星已經就這樣做了，850 Pro是3D MLC，850 Evo是3D TLC。使用舊工藝的好處就是P/E擦寫次數大幅提升，而且電荷干擾的情況也因為使用舊工藝而大幅減少。

　　將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內可容納的人就會更多，這點是同理的。

　　三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/美光這四大NAND豪門都已經涉足3D NAND閃存了。三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星至少2年時間。這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數也不一樣，而Intel在常規(guī)3D NAND閃存之外還開發(fā)了新型的3D XPoint閃存，它跟目前的3D閃存有很大不同，屬于殺手锏級產品。

　　Intel本來就是做存儲技術起家的。雖然現在的主業(yè)是處理器，但存儲技術從來沒放松。根據Intel官方說法，3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內存及閃存，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通閃存的1000倍，容量密度是內存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會損失數據。由于還沒有上市，而且Intel對3D XPoint閃存口風很嚴。Intel準備在2016年開始推出基于3D XPoint技術的存儲產品，內存容量可達6TB，值得關注。

　　傳統(tǒng)的平面NAND閃存現在還談不上末路，主流工藝是15/16nm，但10/9nm節(jié)點很可能是平面NAND最后的機會了，而3D NAND閃存還會繼續(xù)走下去，目前的堆棧層數不過32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數的堆棧技術。3D NAND閃存在容量、速度、能效及可靠性上都有優(yōu)勢。

　　2D的TLC閃存由于各種問題是不會成為主流的，基本上只會有低價入門級的SSD會使用，現在的TLC SSD很多都是試驗性產品，但是等到3D TLC大批量產后，它將會成為未來的主力。

　　3、固件算法：

　　SSD的固件是確保SSD性能的最重要組件，用于驅動控制器。主控將使用SSD中固件算法中的控制程序，去執(zhí)行自動信號處理，耗損平衡，錯誤校正碼（ECC），壞塊管理、垃圾回收算法、與主機設備（如電腦）通信，以及執(zhí)行數據加密等任務。由于固件冗余存儲至NAND閃存中，因此當SSD制造商發(fā)布一個更新時，需要手動更新固件來改進和擴大SSD的功能。

　　由于固件研發(fā)上的區(qū)別，采用相同主控的SSD也可能表現出完全不一樣的性能和耐久度。而固件則通常是由廠商自行開發(fā)，并且時有更新，可以改善SSD性能并解決一些曾經出現的已知問題。如果用數字來說，一塊SSD中顆粒對性能的影響大約占60%，而固件與主控的影響會在20%左右。

　　開發(fā)高品質的固件不僅需要精密的工程技術，而且需要在NAND閃存、控制器和其他SSD組件間實現完美整合。此外，還必須掌握NADN特征、半導體工藝和控制器特征等領域的最先進的技術。固件的品質越好，整個SSD就越精確，越高效。目前具備獨立固件研發(fā)的SSD廠商并不多，僅有Intel、閃迪、英睿達、浦科特、OCZ、三星等廠商。

　　二、固態(tài)硬盤選購

　　先確定自己電腦需要的SSD容量、接口類型！

　　容量不需要多說。根據自身需求、預算購買。首推256GB。

　　主流硬盤接口都有哪些？現在能見到的至少有SATA、mSATA、M.2、SATA Express、PCI-E及U.2等，其實這些還只是一部分，因為我們沒提到的還有很多，比如BGA封裝的，針對外置設備的eSATA接口，企業(yè)級市場用的SAS 3.0接口，習慣獨來獨往的蘋果甚至還定制了很多自家專屬的硬盤接口�？紤]到它們跟日常使用的關系不大或者你知道了也沒個卵用（因為是專屬的）。

　　最常見的有：SATA 6Gbps接口，M.2/NGFF接口，PCI-E接口。

　　其中M.2之間也有不同的規(guī)格，主要由2242、2260、2280三種規(guī)格，其實三種規(guī)格對應的是三種不同長度的產品，方便廠家擴充存儲容量。未來主流應該是2280。

　　2016年隨著英特爾Skylake平臺CPU主芯片對原生PCIe NVMe通道的支持，高端市場PC將開始向PCIe SSD過渡。目前三星、英特爾、浦科特等一線品牌已經推出PCIe NVMe SSD。如英特爾750，三星951，浦科特M8Pe。

　　1、看主控

　　Marvell大法好，不差錢可選浦科特、閃迪等。（不是Marvel，不是漫威漫畫。）囊中羞澀則選其他主控產品。

　　2、看閃存

　　MLC是中高端產品的主流選擇。TLC和MLC的區(qū)別，除了低成本， 低壽命外， 就是低寫入速度。而TLC的壽命，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，但各種極限測試也都證明：正常家用，TLC 120g 固態(tài)的來說用個10年左右也是不成問題，所以不必糾結壽命。更別提很多壽命更長MLC的SSD。

　　要快和穩(wěn)定，首選MLC。對于TLC閃存，態(tài)度一直是明確的：它確實對廠商降低成本非常有利，但是，除非囊中羞澀或者升級臨時用的電腦，否則根本沒有選擇TLC的必要。

　　首先是那些可以自己生產閃存的廠家：Intel、美光、三星、海力士、東芝、閃迪。

　　沒有生產閃存能力的但是一直堅持使用原廠閃存的廠家：浦科特、建興、海盜船等等。

　　最后提一下OCZ，當年江湖的白片小王子，長期保持較高的返修率，不但對財政是一個負擔，還致使消費者對他的產品失去信心，最終導致破產�，F在被東芝收購后從良了，有了穩(wěn)定的閃存來源，新出的那幾款SSD都用的是東芝原廠閃存。

　　3、看固件

　　有自主研發(fā)實力的廠商會自行優(yōu)化設計，因此，挑選固態(tài)硬盤時，選擇知名品牌是很有道理的。固件的品質越好，整個SSD就越精確，越高效。目前具備獨立固件研發(fā)的SSD廠商并不多，僅有Intel、英睿達、浦科特、OCZ、三星等廠商。

　　現在市面上絕大部分SSD使用時間長了，速度都會變慢，這是SSD的寫入方式導致的，如果先寫入了一些數據，之后又寫入了一些數據，可是后寫入的數據是不能直接覆蓋之前寫入的數據的，而是要等主控將原來的數據擦除掉，才能將后寫入的數據放到原來數據的位置。而隨著硬盤的使用時間變長，會有很多數據不能在第一時間被放置在該放在的位置，所以在一定程度上影響了固態(tài)硬盤的讀寫速度。

　　可能有人會問為什么都說浦科特沒有這種缺陷？這是因為浦科特采用了實時GC功能，它會把亂七八糟的數據都整理好放在一個空白空間。但是可以想象，如果SSD在讀寫數據的時候還要將其他的這些亂七八糟的數據整理好放在其他地方，必定會大幅降低SSD的壽命，而且要在同一時間進行這兩個操作，如果主控不夠優(yōu)秀，肯定無法勝任這個工作。基于此，大多數主控都是閑時GC，并非每時每刻都在進行這個操作，而是達到一定程度后才來執(zhí)行，然而浦科特卻是實時GC，當然采用好主控和好顆粒的浦科特也能經得住這種考驗。

　　先說說浦科特的永不掉速TRUE SPEED技術，聽上去好像很厲害的樣子。其實只是固件層面更激進的GC（垃圾回收Garbage Collection） ，關于GC的作用，可以理解為機械硬盤的碎片整理。 SSD的GC可以分為主動回收和被動回收，浦科特的TURE SPEED是屬于激進的主動回收，一旦SSD處于空閑狀態(tài)就立刻執(zhí)行GC操作，回收垃圾塊，好處就是長時間使用真的不掉速， 缺點就是會降低顆粒的壽命。

　　至于這樣做到底好不好，這里不評論，我想說的是，TRUE SPEED技術，嚴格上來講，并不是一項浦科特獨有的技術，因為其他廠商也可以，更多的向是一個參數層面的設置，而不是硬件上的創(chuàng)新。而且其他廠商也不是完全不做GC，只是沒浦科特這么激進而已。（轉某網友）

　　4、看“緩存”

　　緩存對固態(tài)硬盤的影響沒有前三者大，緩存和我們的手機電腦一樣，也分DDR2，DDR3。固態(tài)硬盤的尋道時間很小，接近于0。因此固態(tài)硬盤的緩存并不是必要的，但寫入緩存的數據不一定會直接寫入到固態(tài)硬盤上，只有最終需要保存的數據才會寫入到固態(tài)硬盤的FLASH芯片上，這個由程序和系統(tǒng)控制。沒有緩存的產品也不是說壽命會很不堪，還有還有PO（7%以上）空間來維持。因此，具備較大緩存有助于減少固態(tài)硬盤上FLASH芯片的讀寫次數，延長了芯片的使用時間，一定程度上提高讀寫能力。

　　TLC SSD為了解決NAND Flash讀寫較慢的問題，就為產品配備了SLC Cache。在絕大多數沒有達到臨界值時，SLC Cache就可以全部參與為SSD讀寫加速。所以目前市面的TCL固態(tài)硬盤常規(guī)測試速度，均可以媲美SLC固態(tài)硬盤。但是緩存，也給TLC跑分注水造假。

　　為了真實的反映TLC SSD的性能，最簡單的方法就是將測試數據區(qū)塊擴大，測試數據大小大于緩存，才能讓TLC真實讀取性能現出原形。如三星850 EVO當遇到大量寫入，持續(xù)大數據寫入量的話，后勁會明顯不足，用完緩存很快溢出，此時三星850 EVO就該露餡了，從400MB/S降到70MB/S甚至更小。

　　一般來說，緩存越大越好。

　　5、看性能

　　“某固態(tài)硬盤讀寫速度高達500MB/s以上”“550MB/s速度秒殺全場不解釋？”。實際軟件測試中確是如此，500MB/s真是神速��！但有些沒意義或是作假的數據會讓您做出錯誤的選擇，且看奸商宣傳無謂數據如何誤導消費者。沒人用電腦是整天連續(xù)的拷貝大文件！再快的持續(xù)速度也無用武之地。

　　在實際應用中，更加考究SSD的4K IOPS性能（即每秒輸入輸出值）。IOPS是指存儲每秒可接受多少次主機發(fā)出的訪問。IOPS越高表示硬盤讀（寫）數據越快。在日常應用中網頁緩存的寫入、系統(tǒng)文件更新，包括程序、游戲的加載、響應等等都與隨機4K讀寫性能息息相關。可以說，4K讀寫的快慢決定了系統(tǒng)的操作體驗。購買SSD時應參考其4K隨機讀寫成績！

　　太平洋網友用某SSD拷貝通過軟件生成的10萬個22字節(jié)的TXT文件共計（2.46M） 。測試的拷貝速度竟然不到50K/S，而且還有電腦隨時死機的風險。

　　●ATTO測試成績沒有實際參考意義

　　●CrystalDiskMark測試成績有時也會騙人

　　●4K/隨機讀寫能力（單位為IOPS表示）才有價值。系統(tǒng)應用中，多數為小文件讀寫為主，所以4k 讀寫指標顯得重要多了。對系統(tǒng)盤來說，IOPS可以直觀的理解為系統(tǒng)反應速度。

　　6、可以考慮：有無斷電保護

　　SSD有意外斷掉導致不認盤的可能性，可能導致資料無法找回。機械硬盤壞了也有很大幾率找回資料。如Intel 730性能表現非常中庸，售價也不低，但是它是一款與企業(yè)級產品留著同樣血脈的產品，在SSD內置電容中提供應急保護電源設計，確保在突然斷電的情況下數據也不會丟失。另外還支持256位AES指令集加密。尤其對于企業(yè)用戶來說，安全性穩(wěn)定性是更加重要的。（當然也別被嚇到，誤認為凡斷電必丟盤）

　　7、可以考慮：功耗

　　如果你是筆記本用戶，考慮的出發(fā)點就不再是性能和價格了，而是低功耗。對于比較重視續(xù)航能力的筆記本來說，節(jié)能是很重要的�？赡苡腥藭�問三星850 Pro功耗表現也很好為啥不推薦，因為它太貴了，而且筆記本通常都不能發(fā)揮SSD最大的實力，所以沒必要花這么多錢去購買旗艦級產品，除非不差錢或者確實需要或者有折扣優(yōu)惠。

　　8、可以考慮：售后

　　如三星、閃迪的支持十年質保，閃迪支持全球聯保，可以大膽海淘。浦科特售后順豐快遞寄回去即可。等等。這也是我不推薦買小廠產品的理由之一，萬一特么的壞了廠家不一定能有好態(tài)度回復你。

　　細心的讀者讀到這里，對牌子的選擇心里大概有底了。三星唯一一家擁有主控、閃存、緩存、PCB板、固件算法一體式開發(fā)、制造實力的廠商。三星、閃迪、東芝、美光都擁有其他SSD廠商可望不渴求的上游芯片資源。至于英特爾，暫時無心留戀消費級ssd市場，深耕企業(yè)ssd市場。消費級產品較少，性能中庸，但是穩(wěn)定性奇好。

　　三、固態(tài)硬盤使用注意事項

　　1、系統(tǒng)選擇

　　Win7系統(tǒng)開始支持SSD固態(tài)硬盤優(yōu)化，支持硬盤分區(qū)4K對齊，支持TRIM命令等，能將SSD固態(tài)硬盤的性能發(fā)揮到極致，因此必須使用Win7以上的系統(tǒng)。

　　2、多硬盤組合使用時，先單獨接SSD安裝系統(tǒng)

　　安裝系統(tǒng)時盡可能只接SSD，因為Win7以上系統(tǒng)會自動檢測磁盤系統(tǒng)是否為SSD而作出優(yōu)化，希望SSD發(fā)揮最大性能，就要單獨接SSD來安裝系統(tǒng)，否則系統(tǒng)會因為檢測到多盤而不進行充分的優(yōu)化，甚至引起一些古怪的問題。而在安裝系統(tǒng)過程中要避免多硬盤而引起的一些不必要的問題，其實很簡單，只要把HDD的電源線拔了，裝好系統(tǒng)再接上就行。

　　3、SATA3，開啟AHCI模式

　　別接到stat2接口去了。非常重要！略。CrystalDiskInfo軟件可檢查。

　　4、分區(qū)4K對齊

　　如果4K不對齊，不但會極大的降低數據寫入和讀取速度，還會增加固態(tài)硬盤不必要的寫入次數，影響壽命。非常重要！略。AS SSD Benchmark、DiskGenius、分區(qū)助手可檢查或糾正。

　　4K對齊選8，2048和4098扇區(qū)數有多大區(qū)別？實測告訴你

　　5、分區(qū)方法：小分區(qū)、少分區(qū)

　　SSD有一種技術叫做“垃圾回收機制”，Trim是系統(tǒng)用來告訴SSD主控哪些數據所占據的地址是“無效”的，而“垃圾回收機制”就是SSD內部對這些“無效”數據進行清理的過程。

　　SSD中的擦除只能是“將無效數據所在的整個區(qū)域摧毀”，不能像機械硬盤那樣實現“點對點精確定位打擊”，因此“垃圾回收機制”過程也顯得很繁瑣——先把區(qū)域內的有效數據集中起來，轉移到空閑的位置，然后把“問題區(qū)域”整個清除，清除出來的地方可以作為下次垃圾回收時的轉移地點。

　　所以“小分區(qū)”的概念就出來了。所謂“小分區(qū)”就是不要把SSD的容量都分滿，保留一部分容量作為“空閑位置”，用于SSD內部的優(yōu)化操作，如磨損平衡、垃圾回收和壞塊映射。一般情況下這一步驟廠商已經幫我們設定好了，例如NAND容量128G的SSD，廠家會標稱120G，剩下的部分就被設置成了預留空間。當然如果你十分注重SSD性能，也可以在此基礎上繼續(xù)增加預留空間，如：128G的固態(tài)硬盤在分區(qū)的時候只分120G或者更少。

　　“少分區(qū)”則是另外一種概念，關系到4k對齊對SSD的影響。一方面現在主流SSD容量都不是很大，分區(qū)越多意味著浪費的空間越多（每個分區(qū)總有那么些空間是用不到的），另一方面分區(qū)太多容易導致分區(qū)錯位，在分區(qū)邊界的磁盤區(qū)域SSD性能可能受到影響。如：128G的固態(tài)硬盤分2個分區(qū)，256G的分2-4個分區(qū)為宜。

　　6、保留足夠的剩余空間

　　固態(tài)硬盤存儲越多性能越慢。而如果某個分區(qū)長期處于使用量超過90%的狀態(tài)，固態(tài)硬盤崩潰的可能性將大大增加。所以及時清理無用的文件，設置合適的虛擬內存大小，將電影音樂等大文件存放到機械硬盤非常重要，必須讓固態(tài)硬盤分區(qū)保留足夠的剩余空間。

　　7、平時保養(yǎng)：

　　SSD不需要碎片整理！機械硬盤才需要。

　　8、刷新固件

　　9、恢復指令：

　　對付SSD降速的終極手段。

　　三星SM961 讀寫3200M/1800M，4K 450K/400K

　　英特爾750 讀寫2400M/1200M，4K 440K/290K

　　三星SM951 讀寫2150M/1550M，4K 300K/100K

　　浦科特M8Pe 讀寫2500M/1400M，4K 280K/240K

　　補充：

　　目前PCIE標準已經發(fā)展到了第三代，也就是我們通常所說的PCIE 3.0。相比PCIE 2.0標準，PCIE 3.0將前者的帶寬由5.0GHz提升到了8.0GHz。SATA和PCIe 1.0、2.0都是通過芯片組連到CPU的，PCIe 3.0 SSD享受CPU直連待遇。這是史無前例的待遇！

　　主流高端SSD基本是PCI-E 3.0x4

　　關于NVMe協議PCI-e SSD要注意事項：

　　（1）NVMe協議的PCIE SSD對主板要求比較高，現在只支持Z97以后的主板，Z97之前的主板BIOS缺乏NVMe驅動模塊，會出現無法識別，無法引導的情況。

　�。�2）在安裝Win7和Win8系統(tǒng)前需要加載驅動，否則無法安裝引導。而Win10可以直裝。

　�。�3）作為從盤在Win7和win8使用時，NVMe協議的PCIE SSD需要加載NVMe組織發(fā)布的標準驅動，此驅動未通過WHQL，所以64Bit系統(tǒng)需要打開測試模式才能安裝驅動。

　�。�4）因為PCIE接口的特殊性，使用PCIE SSD作為系統(tǒng)盤時其啟動速度會比SATA接口慢，啟動時間較長。

　　（5）NVMe協議的PCIE SSD對CPU主頻及內存頻率要求高，且Windows10系統(tǒng)測試PCI-E SSD時，要在磁盤驅動器的寫入緩存策略里，關閉設備上Windows寫入高速緩存緩沖區(qū)刷新，否則無法完全發(fā)揮其性能。

　　注：NVMe的SSD相比傳統(tǒng)SATA的SSD，在普通日常使用中，體驗沒有差別�。�！

　　SSD一生能夠寫入的總數據量是有限的，當寫入數據量達到那個值時SSD就會死去，這就是SSD的壽命。通常我們用閃存的P/E次數來計算，閃存完全擦寫一次叫做1次P/E。

　　這個總數據量的值是通過實際容量x閃存能夠承受的P/E次數來計算的，比如一個30G的SSD，用的是5000P/E的閃存，一生能寫入的總數據量是15000G.算出了SSD能夠承受的總數據寫入量，接下來就是分析我們一年會有多少寫入，然后總數據寫入量除以每年的寫入量，就可以得到直觀SSD的壽命：xx年。

　　這是一種理想化的計算方式，實際上SSD的壽命還和主控算法、用戶使用方式有關。理想情況下，主控應該將數據比較平均分布到閃存芯片上，這樣閃存不會填滿，也就不會激發(fā)P/E，而不好的情況，主控把80G數據集中填充到幾個閃存芯片上，那么那幾個閃存就會激發(fā)P/E，它們的壽命就會下降，如果這幾個閃存都掛掉，那么就算其他幾個閃存還活著，SSD也會掛掉——你可以將這一切理解成能作有限次填滿的俄羅斯方塊。