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傳輸速度提高40%！三星宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存

編輯：jiayuan 2018-07-11 10:17:28 來(lái)源于：IT之家

　　7月11日消息三星電子日前公開(kāi)宣布，其已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口的第五代V-NAND閃存芯片。需要注意的是，第五代V-NAND閃存芯片不僅提高了40％的傳輸速度，電壓也從1.8V降至1.2V！感興趣的朋友不妨來(lái)了解一下。

　　據(jù)悉，第五代V-NAND還具有最快的數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度，延遲僅為500微秒，這是在寫(xiě)上一代的速度提高了30%，而響應(yīng)時(shí)間讀信號(hào)已顯著降低到50μS（微秒）。

　　第五代V-NAND芯片的構(gòu)建與之前的相似，它配備了90層的3D TLC CTF閃存存儲(chǔ)單元。它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔。這些孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過(guò)850億個(gè)CTF單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)多達(dá)3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb（32GB）。

　　此外，三星方面還表示，其將迅速擴(kuò)大其第五代V-NAND生產(chǎn)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)的廣泛需求。按照三星官方的說(shuō)法，第五代V-NAND將應(yīng)用在如超級(jí)計(jì)算機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和最新的移動(dòng)應(yīng)用等高級(jí)智能手機(jī)方面！此事的后續(xù)進(jìn)展，我們也將繼續(xù)關(guān)注。