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編輯:jiayuan 2019-04-16 13:55:19 來(lái)源于:快科技
4月16日消息 和頻頻在制程工藝上擠“牙膏”的Intel不同,其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD、三星、臺(tái)積電一直在不斷更新芯片制程工藝!而據(jù)最新消息顯示,繼臺(tái)積電后,三星方面也成功完成了5nm EUV工藝的研發(fā),且有望在2020年正式投產(chǎn)。
據(jù)悉,三星在今天早些時(shí)候公開(kāi)宣布,已完成5nm EUV工藝開(kāi)發(fā),且給客戶送去了相應(yīng)的樣品。
按照三星官方的說(shuō)法,由于加入了EUV(極紫外線光刻)技術(shù),自家的芯片產(chǎn)品在更先進(jìn)工藝制程加持下,可以擁有更好的功耗和性能,且相應(yīng)的生產(chǎn)線正在建設(shè),預(yù)計(jì)2019年下半年完成,2020年便可開(kāi)始投入使用。
那么新工藝下的表現(xiàn)是怎么樣的呢?三星方面表示,5nm FinFET工藝技術(shù)可以讓芯片功耗降低了20%(相較于7nm工藝),性能提高了10%,從而能夠擁有更多創(chuàng)新的標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)!同時(shí),三星方面透露,5nm的另一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是,讓7nm客戶過(guò)渡到5nm降低的遷移成本,縮短相應(yīng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的時(shí)間。
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