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三星正計劃利用全球首個3納米工藝制造芯片

編輯：jiayuan 2020-01-03 10:25:26 來源于：IT之家

　　日前有報道稱，三星電子事實上的領導者李在镕本周四參觀了三星位于京畿道華城的半導體研發(fā)中心，這也是李在镕在2020年首次正式進行現場管理！另外，李在镕還談及了三星將利用全球首個3納米工藝技術制造芯片的戰(zhàn)略。

　　據悉，該計劃旨在使用正在開發(fā)中的最新3納米全柵極（gate-all-around，簡稱GAA）工藝技術，使全球客戶訂購的尖端芯片商業(yè)化。

　　GAA被稱為當前FinFET技術的升級版，該技術能夠使芯片制造商將微芯片的制造工藝進一步提升。

　　三星2019年4月完成了基于極端紫外線技術的5納米FinFET工藝技術的開發(fā)，該公司正在研究下一代納米工藝技術。

　　按照三星官方的說法，與5納米制程相比，3納米GAA技術在邏輯區(qū)域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。而三星發(fā)言人則表示，“李在镕對半導體研發(fā)中心的訪問，再次凸顯了三星承諾成長為非內存領域頂級芯片制造商的承諾！”此外，三星在2019年還宣布了一項1118.5億美元的投資計劃，其目標則是到2030年成為全球最大的芯片系統(tǒng)制造商。